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PECVD等离子气相沉积系统

PECVD等离子气相沉积系统

本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

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  • 3D打印件热处理,真空热处理炉,多温区管式炉,金属退火炉

联系方式

  • 联系人:
    杨先生
  • 职   位:
    业务工程师
  • 地   址:
    江苏 苏州 昆山市 经济技术开发区六时泾路28号3幢
产品特性:辉光放电加工定制:是品牌:诺曼比尔
类型:真空炉订货号:电话:17327078231货号:电话:17327078231
型号:TF1200-PECVD别名:等离子气相沉积系统适用范围:本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发
炉膛最高温度:1200℃工作温度:1100℃装载量:*kg
工作室尺寸:*mm外形尺寸:*mm规格:*
是否跨境货源:否

TF1200-PECVD等离子化学气象沉积


 设备介绍: 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

主要特点:

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

    2PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度***。

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

    4PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速***、均匀性好、一致性和稳定性高。

    5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

 

 

开启式真空管式炉技术参数

石英管尺寸

Φ100*L1200mm

加热元件

电阻丝

测温元件

N型热电偶

加热区/恒温区

440mm/200mm

工作温度

≤1100℃

控温模式

PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制

控温精度

±1℃

电功率

AC220V/50HZ/3KW

质量供气系统

标准量程

50-500ml/min

压力表测量范围

-0.1Mpa~0.15Mpa

极限压力

3MPa

针阀

316不锈钢

电功率

AC220V/50HZ/20W

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

重复精度

±0.2%

真空系统参数

工作电电压

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

极限真空

4X10-1Pa

/排气口口径

KF25

射频电源

信号频率

13.56   MHz±0.005%

功率输出范围

5W-500W

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

 


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